第三百八十五章 技术难题

第三百八十五章 技术难题 (第2/2页)

“哦，是方教授啊！”张主任视线落在那位研究员身上，笑呵呵的为顾律介绍道，“这位是我们半导体的研究中心的方庆教授，主要负责半导体掺杂调控这一部分的研究内容。”
　　
　　“方教授，给你介绍一下，这位是隔壁数学院的顾律顾教授。”
　　
　　“你好你好！”
　　
　　“久仰久仰！”
　　
　　两人简单的握了个手。
　　
　　“方教授，你过来找我有什么事吗？”张主任笑呵呵的开口问道。
　　
　　“哦。”方教授把手中的文件夹递给张主任，沉声开口，“张主任，最新一次的测量结果出来了。”
　　
　　张主任结果文件夹，打开后扫了一眼，眉头紧紧皱起，“还是不行吗？”
　　
　　方教授苦笑着摇摇头，“还是不行，我们还是没有找到证据证明，C杂质在GaN中的晶格位置。”
　　
　　“唉！”张主任听后长叹口气，“这么久的努力，原来都是做了无用功啊！”
　　
　　顾律在一旁看着长吁短叹的两人，犹豫了一下开口问道，“张主任，你们是遇到了什么难题了吗？”
　　
　　张主任没有隐瞒。
　　
　　“准确的说，不是我们研究所遇到了什么难题，而是整个宽禁带半导体领域都遇到了一个难题。”
　　
　　张主任开始为顾律讲述起这个难题的详细情况。
　　
　　在目前的半导体领域，掺杂调控是氮化物半导体材料和器件发展的关键科学和技术问题。
　　
　　通过C掺杂获得半绝缘GaN是当前研制GaN基电子器件的主流方法。
　　
　　但作为IV族元素，C杂质在GaN中具有两性特征，既可替代N原子，也可替代Ga原子，或者与其他杂质和缺陷形成复合体，使GaN中C的掺杂机理非常复杂，成为近年来氮化物半导体电子材料和器件领域关注的焦点问题之一。
　　
　　所以说，确定C杂质在GaN中的晶格位置是一个相当亟待解决的难题。
　　
　　燕大的半导体研究中心作为GaN宽禁带半导体领域国内知名研究机构之一，理所当然的向该难题发起了冲击。
　　
　　但结果……
　　
　　就如同刚刚顾律所见到的那样，测量结果失败，该技术难题依旧存在。
　　
　　让张主任和负责这部分的方教授唉声叹气。
　　
　　顾律听后，摸着下巴，一直沉默不语，在沉思着什么。
　　
　　足足几十秒后。
　　
　　顾律视线直视着张主任，苦笑一下开口，“张主任，要是我说，这个难题我可以解决，你相信吗？”
　　
　　张主任很显然的懵逼了一下。
　　
　　因为顾律的这句话明显不在张主任的意料之中。
　　
　　或者说……
　　
　　张主任没想过这句话会从顾律口中说出来。
　　
　　张主任足足愣了有十几秒，才狠狠咽口唾沫，开口问道，“顾律，你是说真的，你真的有办法？”
　　
　　“五成把握吧。”顾律没有打一个十足的包票。
　　
　　因为他也不确定那个办法，是否可以适用于宽禁带半导体领域。
　　
　　五成把握！
　　
　　这个数字在张主任看来已经很高了。
　　
　　是值得一试的。
　　
　　只不过，从顾律这样一个数学家口中说出这句话，总是有一种不靠谱的感觉。