第三百八十四章 MOCVD

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第三百八十四章
　　
　　目前，发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN这两种。
　　
　　在燕大的半导体研究中心这，主要研究的宽禁带半导体对象是GaN。
　　
　　在GaN基宽禁带半导体领域，该研究中心一直处于国内领先地位。
　　
　　注册拥有的和GaN宽禁带半导体有关的发明专利，多达二十多个。
　　
　　包括GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法，铟镓氮单晶薄膜MOCVD外延生长技术等等。
　　
　　第三代宽禁带半导体拥有良好的物理化学性能，可应用在诸多的领域。
　　
　　而现在，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域。
　　
　　各个领域产业成熟度各不相同。
　　
　　但在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。
　　
　　目前市面上主流的半导体，还是以第一代半导体和第二代半导体为主。
　　
　　其原因嘛……
　　
　　当然是第三代宽禁带半导体还有很多技术难题没有攻克。
　　
　　燕大的半导体研究所正在进行的工作，就是全力攻克这些难题，早日实现第三代半导体技术的彻底成熟，应用于市场。
　　
　　…………
　　
　　宽禁带半导体实验室，顾律三人穿着深棕色的实验服，在张主任的带领下走进去。
　　
　　实验室的面积很大。
　　
　　将近有半个篮球场的大小。
　　
　　一眼望去，可以看到实验室内数位研究员在各台仪器前紧张的忙碌着。
　　
　　“主任好。”
　　
　　“主任好。”
　　
　　几位年轻的研究员助理见到张主任进来，客气的打招呼。
　　
　　张主任点点头，然后摆摆手，“你们接着忙，接着忙。”
　　
　　“我们先去MOCVD那边吧。”张主任压低声音，询问顾律。
　　
　　顾律点头一笑。
　　
　　张主任带着顾律来到一台一个高的长方形设备面前。
　　
　　“这个就是我们实验室的MOCVD了！”张主任拍拍设备外面的铁壳，笑着为顾律介绍。
　　
　　顾律上下打量了这台设备一番。
　　
　　所谓的MOCVD，是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
　　
　　该设备以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
　　
　　上面说的有些复杂。
　　
　　简单来理解的话，就是通过这台MOCVD设备，可以将有机化合物和氢化物，合称为实验室所需的GaN宽禁带半导体。
　　
　　这是一台生长宽禁带半导体的仪器。
　　
　　顾律在国外见过这种设备。
　　
　　不过国内和国外的MOCVD系统是有些区别的。
　　
　　因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，所以国内和国外MOCVD系统的主要区别在于反应室结构。
　　
　　在国外，反应室结构大多采用‘TurboDisc反应’，而国内则是采用‘行星反应’。
　　
　　两者各有其优劣，说不上谁更好。
　　
　　但呈现在顾律面前的这台MOCVD，虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构，但在设备的其他组成系统上，应该进行了深层次的优化。
　　
　　

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